- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录59980 > FGA204-638T (ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP) BGA204, IC SOCKET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FGA204-638T |
| 厂商： | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
| 元件分类： | 插座 |
| 英文描述： | BGA204, IC SOCKET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | FGA204-638T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA479-638T | BGA479, IC SOCKET |
| FGAX255-638T | BGA255, IC SOCKET |
| FGAX252-638T | BGA252, IC SOCKET |
| FGA303-638T | BGA303, IC SOCKET |
| FGAX560-638T | BGA560, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA20N120FTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V, 20A Trench IGBT |
| FGA20N120FTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V N-Chan Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S120M | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 20A SA FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S125P | 功能描述:IGBT 晶体管 2.5A Output Current GateDrive Optocopler RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA20S140P | 功能描述:IGBT 晶体管 USB Port Multimedia Switch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。