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参数资料
| 型号： | FGB20N6S2DT |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| 中文描述： | 28 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
| 封装： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | FGB20N6S2DT |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FGP20N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
| FGB20N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGB30N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Dl 600V Size 3 N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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