参数资料
型号: FGH40N60SFDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247
产品目录绘图: IGBT TO-247 Package
标准包装: 150
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.9V @ 15V,40A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 80A
功率 - 最大: 290W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
产品目录页面: 1610 (CN2011-ZH PDF)
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
T C = 125 C
V FM
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 20 A
I F =20 A, di F /dt = 200 A/ ? s
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
T C = 125 o C
T C = 25 o C
o
-
-
-
-
-
-
1.95
1.85
45
140
75
375
2.6
-
-
-
-
-
V
ns
nC
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60SFD Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FGH40N60SFTU 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH / 40A 600V FS Planar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGH40N60SMD 功能描述:IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGH40N60SMDF 功能描述:IGBT 晶体管 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGH40N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 40A Field Stop IGBT
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