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参数资料
| 型号： | FGH40N60SMD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 349W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC (IGBT)
R ? JC (Diode)
R ? JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Typ.
-
-
-
Max.
0.43
1.5
40
Unit
o C / W
o C / W
o C / W
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FGH40N60SMD
Top Mark
FGH40N60SMD
Package
TO-247
Packing
Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
30
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
Collector to Emitter Breakdown Voltage V GE = 0 V, I C = 250 ? A
600
-
-
V
? BV CES
????? T J
I CES
I GES
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0 V, I C = 250 ? A
V CE = V CES , V GE = 0 V
V GE = V GES , V CE = 0 V
-
-
-
0.6
-
-
-
250
± 400
V/ o C
? A
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter Saturation Voltage
I C = 250 ? A, V CE = V GE
I C = 40 A , V GE = 15 V
I C = 40 A , V GE = 15 V,
T C = 175 o C
3.5
-
-
4.5
1.9
2.1
6.0
2.5
-
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30 V , V GE = 0 V,
f = 1 MHz
-
-
-
1880
180
50
-
-
-
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
-
-
12
20
16
28
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
V CC = 400 V, I C = 40 A,
R G = 6 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 25 o C
V CC = 400 V, I C = 40 A,
R G = 6 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 175 o C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
92
13
0.87
0.26
1.13
15
22
116
16
0.97
0.60
1.57
120
17
1.30
0.34
1.64
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60SMD Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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