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参数资料
| 型号： | FGH75N60UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 75A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 功率 - 最大： | 452W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
November 2013
FGH75N60UF
600 V, 75 A Field Stop IGBT
Features
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 1.9 V @ I C = 75 A
? High Input Impedance
? Fast Switching
? RoHS Compliant
Applications
? Solar Inverter, UPS, Welder, PFC
General Description
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s field stop
IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS,
welder and PFC applications where low conduction and switch-
ing losses are essential.
E
C
G
COLLECTOR
(FLANGE)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
600
? 20
Unit
V
V
@ T C = 25 C
@ T C = 100 C
I C
I CM (1)
P D
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
o
@ T C = 25 o C
o
150
75
225
452
181
A
A
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
R ? JC (IGBT)
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
-
0.276
40
o
o
C / W
C / W
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH75N60UF Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH80N60FD2TU | IGBT 600V 80A TO-247 |
| FGH80N60FDTU | IGBT 600V 80A TO-247 |
| FGI3236_F085 | IGBT IGNITION N-CH 360V I2PAK |
| FGL35N120FTDTU | IGBT 1200V 35A TO-264 |
| FGL60N100BNTDTU | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH75T65UPD | 功能描述:IGBT 晶体管 650V 150A 187W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH80N60FD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 80A Field Stop IGBT |
| FGH80N60FD2 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FGH80N60FD2TU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 80A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH80N60FDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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