参数资料
型号: FGP10DHE3/73
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 66K
描述: DIODE 1A 200V 35NS SMC
标准包装: 3,000
系列: SUPERECTIFIER®
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 200V
电容@ Vr, F: 25pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-204AL(DO-41)
包装: 带盒(TB)
‘lllvVISHAYQV Www.Vishay.com
10
0.1
instantaneous FonNard Current (A)
0.2 0.4 0.6
Instantaneous Forward Voltage (V)
FGP10B, FGP10C, FGP10D
Junction Capacitance (pF)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
100
10
0.1
instantaneous Reverse Leakage
current (0A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
100
Transient Thermal impedance (°C/W)
8
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Revision: 12-Dec-13
Do-2o4AL (Do-41)
1.0 (25.4)MIN.
0.107 (2.7)0.080 (2.0) ’l 'DIA.
0.205 (5.2)0.1 00 (4.1)
1.0 (25.4)MIN.
0.034 (0.80)0.028 (0.71)DIA.
3For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.c0m, DiodesAsia@vishay.ccm, DiodesEurcpe@vishay.ccm
Vishay General Semiconductor
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
t- Pulse Duration (s)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Document N umber: 88876
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PDF描述
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参数描述
FGP10N60UNDF 功能描述:IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGP-1-1/2 GREY 制造商:ICO RALLY 功能描述:Cable
FGP-1-100-BLK 制造商:ICO RALLY 功能描述:
FGP-1401-0501-2-0FF 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows)
FGP15N60UNDF 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube