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参数资料
型号： FGY75N60SMD
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 8/10页
文件大小： 0K
描述： IGBT 600V 150A 750W POWER-247
标准包装： 150
IGBT 类型： 场截止
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.5V @ 15V，75A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 150A
功率 - 最大： 750W
输入类型： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3 裸露焊盘
供应商设备封装： Power-247
包装： 管件
其它名称： FGY75N60SMD-ND
FGY75N60SMDFS
Typical Performance Characteristics
Figure 25. Transient Thermal Impedance of IGBT
0.3
0.1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
P DM
0.01
single pulse
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Figure 26. Transient Thermal Impedance of Diode
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
t 2
0.01 single pulse
0.005
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGY75N60SMD Rev. C1
8
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FM200TU-2A MOSFET MOD 6PAC HP 100V 100A
FM200TU-3A MOSFET MOD 6PAC HP 150V 100A
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参数描述
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