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参数资料
| 型号： | FLM1414-8F |
| 厂商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | Internally Matched Power GaAs FET |
| 中文描述： | 内部匹配砷化镓场效应管 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | FLM1414-8F |
2
FLM1414-8F
Internally Matched Power GaAs FET
POWER DERATING CURVE
20
10
40
50
30
0
50
100
150
200
Case Temperature (
°C)
Total
Power
Dissipation
(W)
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 14.5 GHz
f2 = 14.51 GHz
2 - tone test
18
Pout
IM3
20
22
24
26
28
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
Output
Power
(S.C.L.)
(dBc)
-25
-35
-45
-55
-65
27
25
23
29
33
35
31
21
IM
3
(dBc)
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
Pin=34dBm
32dBm
30dBm
28dBm
14.0
14.1
14.4 14.5
14.2
14.3
Frequency (GHz)
33
34
35
36
37
38
39
Output
Power
(dBm)
VDS=10V
P1dB
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
26
28
30
32
34
36
38
40
22
24
26
28
30
32
34
10
5
0
15
20
25
Input Power (dBm)
Output
Power
(dBm)
ηadd
Pout
η
add
(%)
VDS=10V
f = 14.25 GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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