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参数资料
| 型号： | FMG8N |
| 英文描述： | N-Channel NexFET™ Power MOSFET 8-SON -55 to 150 |
| 中文描述： | 晶体管| 100mA的一（c）|的TSOP |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | FMG8N |
EMG8 / UMG8N / FMG8A
Transistors
Emitter common
(dual digital transistors)
EMG8 / UMG8N / FMG8A
Features
1) Two DTC143T chips in a EMT or UMT or SMT
package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
(Built-in resistor type)
The following characteristics apply to both the DTr1 and
DTr2.
Equivalent circuit
EMG8 / UMG8N
FMG8A
R1
DTr1
DTr2
(3)
(4)
(5)
(2)
(1)
R1=4.7k
R2=47k
R2
R1
DTr1
DTr2
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
R1=4.7k
R2=47k
R2
Absolute maximum ratings (Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
VCC
50
V
30
V
VIN
5
IO
100
mA
IC (Max.)
100
Tj
150
C
Tstg
55+150
C
Pd
EMG8, UMG8N
150 (TOTAL)
mW
FMG8A
300 (TOTAL)
1
2
Supply voltage
Input voltage
Output current
Junction temperature
Storage temperature
Power
dissipation
1 120mW per element must not be exceeded.
2 200mW per element must not be exceeded.
External dimensions (Units : mm)
ROHM : EMT5
EMG8
ROHM : UMT5
EIAJ : SC-88A
UMG8N
Each lead has same dimensions
0to0.1
1.1
0.8
0.3to0.6
0.15
1.6
2.8
2.9
0.95
1.9
( 4
)
( 5
)
( 1
)
0.3
( 3
)
0.95
( 2
)
Abbreviated symbol : G8
ROHM : SMT5
EIAJ : SC-74A
FMG8A
0.9
0.15
0to0.1
0.1Min.
0.7
2.1
1.3
0.65
2.0
( 4
)
( 1
)
( 5
)
0.2
1.25
( 2
)
0.65
( 3
)
0.22
1.2
1.6
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
0.13
0.5
1.0
1.6
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