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参数资料
| 型号： | FMM75-01F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
FMM 75-01F
HiPerFET TM Power MOSFET
I D25
= 75 A
Phaseleg Topology
in ISOPLUS i4-PAC TM
Preliminary data
3
V DSS = 100 V
R DSon typ. = 18 m ?
5
4
T1
MOSFET T1/T2
1
2
T2
1
5
Features
? HiPerFET TM technology
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
- low R DSon
V DSS
V GS
I D25
I D90
I F25
I F90
dv/dt
E AR
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 90°C
(body diode) T C = 25°C
(body diode) T C = 90°C
V DS < V DSS ; I F ≤ 300A; ? di F /dt ?≤ 100A/μs; R G = 2 ?
T VJ = 150°C
T C = 25°C
100
±20
75
50
100
60
5
30
V
V
A
A
A
A
V/ns
mJ
- low gate charge for high frequency
operation
- unclamped inductive switching (UIS)
capability
- dv/dt ruggedness
- fast intrinsic reverse diode
? ISOPLUS i4-PAC TM package
- isolated back surface
- low coupling capacity between pins
and heatsink
- enlarged creepage towards heatsink
- application friendly pinout
- low inductive current path
- high reliability
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
- industry standard outline
- UL registered E 72873
min.
typ.
max.
Applications
R DSon
V GS = 10 V; I D = I D90
18
25 m ?
?
drives and power supplies
V GSth
V DS = 20 V; I D = 4 mA
2
4
V
?
?
battery or fuel cell powered
automotive, industrial vehicle etc.
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = V DSS ; V GS = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
V GS = ±20 V; V DS = 0 V
V GS = 10 V; V DS = 0.5 ? V DSS ; I D = I D90
V GS = 10 V; V DS = 0.5 ? V DSS
I D = I D90 ; R G = 2 ?
0.25
180
35
85
20
60
80
60
0.3 mA
mA
200 nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
?
secondary side of mains power
supplies
V F
t rr
(body diode) I F = 75 A; V GS = 0 V
(body diode) I F = 37.5A; -di/dt = 100A/μs; V DS = 25V
1.2
300
1.5
V
ns
R thJC
0.5 K/W
R thJH
with heat transfer paste
0.93
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMM7G20US60I | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM7G20US60N | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM7G20US60SI | 功能描述:IGBT 模块 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM7G20US60SN | 功能描述:IGBT 模块 Compact Module Complex RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM7G30US60I | 功能描述:IGBT 模块 600V 30A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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