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参数资料
| 型号： | FNA40860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD SPM 600V 8A SPM26-AA |
| 标准包装： | 12 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电流： | 8A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2000Vrms |
| 封装/外壳： | SPM26-AA |
600
550
500
450
400
20
16
12
R-T Curve
R-T Curve in 50 ℃ ~ 125 ℃
350
8
300
250
4
200
0
50
60
70
80
90
100
110
120
150
100
50
0
Temperature [ ℃ ]
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Temperature T TH [ ℃ ]
Figure. 6. R-T Curve of The Built-In Thermistor
Bootstrap Diode Part
Symbol
V F
t rr
Parameter
Forward Voltage
Reverse-Recovery Time
Conditions
I F = 0.1 A, T C = 25°C
I F = 0.1 A, T C = 25°C
Min.
-
-
Typ.
2.5
80
Max.
-
-
Unit
V
ns
T C =25 C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Built-In Bootstrap Diode V F -I F Characteristic
o
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V F [V]
Figure 7. Built-In Bootstrap Diode Characteristic
2nd Notes:
6. Built-in bootstrap diode includes around 15 ? resistance characteristic.
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FNA40860 Rev. C3
8
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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