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参数资料
| 型号： | FOD3182S |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO IGBT GATE DVR 3A 8-SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 145ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，鸥翼型 |
| 供应商设备封装： | 8-SMT |
| 包装： | 管件 |
February 2011
FOD3182
3A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver
Optocoupler
Features
Applications
■ High noise immunity characterized by 50kV/μs (Typ.)
common mode rejection @ V CM = 2,000V
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Plasma Display Panel
High performance DC/DC convertor
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Guaranteed operating temperature range of
-40°C to +100°C
3A peak output current
Fast switching speed
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High performance switch mode power supply
High performance uninterruptible power supply
Isolated Power MOSFET gate drive
– 210ns max. propagation delay
– 65ns max pulse width distortion
Description
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Fast output rise/fall time
– Offers lower dynamic power dissipation
250kHz maximum switching speed
Wide V DD operating range: 10V to 30V
Use of P-Channel MOSFETs at output stage
enables output voltage swing close to the supply rail
(rail-to-rail output)
5000Vrms, 1 minute isolation
Under voltage lockout protection (UVLO) with
hysteresis – optimized for driving MOSFETs
Minimum creepage distance of 8.0mm
Minimum clearance distance of 10mm to 16mm
(option TV or TSV)
Minimum insulation thickness of 0.5mm
UL and VDE*
1,414 peak working insulation voltage (V IORM )
The FOD3182 is a 3A Output Current, High Speed
MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a
aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode
optically coupled to a CMOS detector with PMOS and
NMOS output power transistors integrated circuit power
stage. It is ideally suited for high frequency driving of
power MOSFETS used in Plasma Display Panels
(PDPs), motor control inverter applications and high
performance DC/DC converters.
The device is packaged in an 8-pin dual in-line housing
compatible with 260°C reflow processes for lead free
solder compliance.
*Requires ‘V’ ordering option
Functional Block Diagram
NC 1
8 V DD
Package Outlines
8
8
Note:
ANODE 2
CATHODE 3
NC 4
7 V O2
6 V O1
5 V SS
1
8
1
1
8
1
A 0.1μF bypass capacitor must be connected between pins 5 and 8.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FOD3184TSR2V | OPTO MOSFET/IGBT GATE DVR 8-SMD |
| FOD4118T | TRIAC DRV ZC 300MA 800V 6-DIP |
| FOD4218T | TRIAC DRIVER 300MA 800V 6-DIP |
| FOD8001 | OPTOCOUPLER 3.3V 8-SOIC |
| FOD8012 | OPTOCOUPLER BIDIR 3.3V 5V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3182SD | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SDV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182SV | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182TSR2 | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FOD3182TSR2V | 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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