参数资料
型号: FOD3182S
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
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文件大小: 0K
描述: OPTO IGBT GATE DVR 3A 8-SMD
标准包装: 50
电压 - 隔离: 5000Vrms
通道数: 1,单向
电流 - 输出 / 通道: 3A
传输延迟高 - 低 @ 如果: 145ns @ 10mA
电流 - DC 正向(If): 25mA
输入类型: DC
输出类型: 栅极驱动器
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,鸥翼型
供应商设备封装: 8-SMT
包装: 管件
Safety and Insulation Ratings
As per DIN EN/IEC 60747-5-2. This optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety
limit data. Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89 Table 1
For Rated Mains Voltage < 150Vrms
For Rated Mains Voltage < 300Vrms
For Rated Mains Voltage < 450Vrms
For Rated Mains Voltage < 600Vrms
For Rated Mains Voltage < 1000Vrms (Option T, TS)
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I–IV
I–IV
I–III
I–III
I–III
40/100/21
2
CTI
V PR
Comparative Tracking Index
Input to Output Test Voltage, Method b,
V IORM x 1.875 = V PR , 100% Production Test with
tm = 1 sec., Partial Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a,
V IORM x 1.5 = V PR , Type and Sample Test with
tm = 60 sec.,Partial Discharge < 5 pC
175
2651
2121
V IORM
V IOTM
Max Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
External Clearance (for Option T or TS - 0.4” Lead Spacing)
Insulation Thickness
1,414
6000
8
7.4
10.16
0.5
V peak
V peak
mm
mm
mm
mm
Safety Limit Values – Maximum Values Allowed in the
Event of a Failure
T Case
I S,INPUT
P S,OUTPUT
R IO
Case Temperature
Input Current
Output Power (Duty Factor ≤ 2.7%)
Insulation Resistance at T S , V IO = 500V
150
25
250
10 9
°C
mA
mW
?
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3182 Rev. 1.0.9
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FOD3182SD 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182SDV 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182SV 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182TSR2 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube
FOD3182TSR2V 功能描述:高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube