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参数资料
| 型号： | FOD3184TSR2 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 6/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO MOSFET/IGBT GATE DVR 8SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 145ns @ 10mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 栅极驱动器 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，鸥翼型 |
| 供应商设备封装： | 8-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FOD3184TSR2FSDKR |
Switching Characteristics
Apply over all recommended conditions, typical value is measured at V DD = 30V, V SS = 0V, T A = 25°C,
unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Test Conditions Min.
Typ.* Max.
Unit
t PLH
t PHL
P WD
Propagation Delay Time to High Output Level (6)
Propagation Delay Time to Low Output Level (6)
Pulse Width Distortion (7)
I F = 10mA,
R g = 10 ? ,
f = 250kHz,
Duty Cycle = 50%,
50
50
120
145
35
210
210
65
ns
ns
ns
P DD Propagation Delay Difference Between Any
(t PHL – t PLH ) Two Parts (8)
C g = 10nF
-90
90
ns
t r
t f
t UVLO ON
t UVLO OFF
Rise Time
Fall Time
UVLO Turn On Delay
UVLO Turn Off Delay
C L = 10nF,
R g = 10 ?
38
24
2.0
0.3
ns
ns
μs
μs
| CM H |
Output High Level Common Mode Transient
Immunity (9) (10)
T A = +25°C,
I f = 10mA to 16mA,
35
50
kV/μs
V CM = 2kV,
V DD = 30V
| CM L |
Output Low Level Common Mode Transient
Immunity (9) (11)
T A = +25°C,
V f = 0V,
35
50
kV/μs
V CM = 2kV,
V DD = 30V
*Typical values at T A = 25°C
Isolation Characteristics
Symbol Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
V ISO
Withstand Isolation Voltage (12) (13) T A = 25°C,
5000
V rms
R.H. < 50%, t = 1min.,
I I-O ≤ 10μA
R I-O
C I-O
Resistance (input to output) (13)
Capacitance (input to output)
V I-O = 500V
Freq. = 1MHz
10 11
1
?
pF
*Typical values at T A = 25°C
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD3184 Rev. 1.0.4
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3108NL-04W-B19-P00 | FAN DC AXIAL 12V 80X20 LOCK RTR |
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| 1393114-5 | RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD3184TSR2V | 功能描述:功率驱动器IC High Speed 3A OUT MOSFET/IGBT GateDrvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD3184TSV | 功能描述:功率驱动器IC 3A Out, Hi-Speed Gate Drvr Optocouplr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD3184TV | 功能描述:功率驱动器IC 3A Out, Hi-Speed Gate Drvr Optocouplr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD3184V | 功能描述:功率驱动器IC 3A Out, Hi-Speed Gate Drvr Optocouplr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FOD410 | 功能描述:三极与 SCR 输出光电耦合器 Random Phase Snubberless Triac RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输出设备:PhotoTriac 每芯片的通道数量: 绝缘电压:3750 Vrms 正向电流:10 mA 正向电压:1.2 V 最大触发电流:10 mA 关断状态下输出电压-VDRM:600 V 最大连续输出电流: 零交叉电路: 封装:Reel |
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