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参数资料
| 型号： | FOD852SD |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER DARL OUT RBE 4-SMD |
| 产品目录绘图： | FOD Series 4-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 1000% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 15000% @ 1mA |
| 输出电压： | 300V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 1.2V |
| 输出类型： | 达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FOD852SDDKR |
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only. T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Value
Units
Total Device
T STG
T OPR
T SOL
P TOT
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature
Total Device Power Dissipation
-55 to +125
-30 to +100
260 for 10 seconds
200
°C
°C
°C
mW
Input
I F
V R
P D
Continuous Forward Current
Reverse Voltage
LED Power Dissipation
50
6
70
mA
V
mW
Output
V CEO
V ECO
I C
P C
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Collector Voltage
Continuous Collector Current
Collector Power Dissipation
300
0.1
150
150
V
V
mA
mW
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD852 Rev. 1.2.2
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALZ51F18W | RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 18V |
| KX14-160K5DE | CONN RCPT 0.8MM 160POS SMD GOLD |
| QTS-025-01-L-D-LC | CONN HEADER 50POS .635MM SMT |
| D3448-89160 | STRAIN RELIEF 60POS D89-SERIES |
| D3448-89136 | STRAIN RELIEF 36POS D89-SERIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD852W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OPTO_LIGHTING RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODB100 | 功能描述:高速光耦合器 Sngl Ch MICROCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FODB100_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single Channel Microcoupler⑩ |
| FODB100V | 功能描述:高速光耦合器 Single Channel Microcoupler RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FODB101 | 功能描述:高速光耦合器 Single Channel MICROCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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