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参数资料
| 型号： | FOD852SD |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER DARL OUT RBE 4-SMD |
| 产品目录绘图： | FOD Series 4-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 1000% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 15000% @ 1mA |
| 输出电压： | 300V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 1.2V |
| 输出类型： | 达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FOD852SDDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise specified.
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Input
V F
I R
C t
Forward Voltage
Reverse Current
Terminal Capacitance
I F = 10 mA
V R = 4 V
V = 0, f = 1 kHz
1.2
30
1.4
10
250
V
μA
pF
Output
I CEO
BV CEO
BV ECO
Collector Dark Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
V CE = 200 V, I F = 0
I C = 0.1 mA, I F = 0
I E = 10 μA, I F = 0
300
0.1
200
nA
V
V
Transfer Characteristics
Symbol
I C
DC Characteristic
Collector Current
Test Conditions
I F = 1 mA, V CE = 2 V
Min.
10
Typ.
40
Max.
150
Unit
mA
CTR
Current Transfer
Ratio (1)
1,000
4,000
15,000
%
V CE(SAT)
Collector-Emitter
I F = 20 mA, I C = 100 mA
1.2
V
Saturation Voltage
R ISO
Isolation Resistance
DC = 5000 V,
5x10 10 1x10 11
Ω
40% to 60% Relative Humidity
C F
Floating Capacitance
V = 0, f = 1 MHz
0.6
1
pF
f C
Cut-Off Frequency
V CE = 2 V, I C = 20 mA, R L = 100 Ω , -3 dB
1
7
kHz
t R
t F
Response Time (Rise)
Response Time (Fall)
V CE = 2 V, I C = 20 mA, R L = 100 Ω
100
20
300
100
μs
μs
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
Characteristic
Input-Output Isolation
Test Conditions
f = 60 Hz, t = 1 minute, I I-O ≤ 2 μA
Min.
5000
Typ.
Max.
Units
V AC(RMS)
Voltage
R ISO
Isolation Resistance
V I-O = 500 V DC
5 x 10 10
10 11
Ω
C ISO
Isolation Capacitance
V I-O = 0, f = 1 MHz
0.6
1.0
pf
Note:
1. Current Transfer Ratio (CTR) = I C / I F x 100%.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FOD852 Rev. 1.2.2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ALZ51F18W | RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 18V |
| KX14-160K5DE | CONN RCPT 0.8MM 160POS SMD GOLD |
| QTS-025-01-L-D-LC | CONN HEADER 50POS .635MM SMT |
| D3448-89160 | STRAIN RELIEF 60POS D89-SERIES |
| D3448-89136 | STRAIN RELIEF 36POS D89-SERIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FOD852W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OPTO_LIGHTING RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODB100 | 功能描述:高速光耦合器 Sngl Ch MICROCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FODB100_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single Channel Microcoupler⑩ |
| FODB100V | 功能描述:高速光耦合器 Single Channel Microcoupler RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| FODB101 | 功能描述:高速光耦合器 Single Channel MICROCOUPLER RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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