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参数资料
| 型号： | FODM8801BR2 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO PHOTOTRANSISTOR 4-MINIFLAT |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | OptoHit™ |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 65% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 360% @ 1mA |
| 输出电压： | 75V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 20mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SOIC（0.170"，4.40mm） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Transfer Characteristics
Apply over all recommended conditions (T A = -40°C to +125°C unless otherwise speci?ed).
All typical values are measured at T A = 25°C.
Symbol
CTR CE
Parameter
Current Transfer
Ratio
(Collector-Emitter)
Device
FODM8801A
Conditions
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
@ T A = 25°C
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
Min.
80
35
Typ.
120
120
Max.
160
230
Units
%
%
I F = 1.6 mA, V CE = 5 V
I F = 3.0 mA, V CE = 5 V
40
45
125
138
%
%
FODM8801B
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
130
195
260
%
@ T A = 25°C
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
I F = 1.6 mA, V CE = 5 V
I F = 3.0 mA, V CE = 5 V
65
70
75
195
202
215
360
%
%
%
FODM8801C
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
200
300
400
%
@ T A = 25°C
I F = 1.0 mA, V CE = 5 V
I F = 1.6 mA, V CE = 5 V
I F = 3.0 mA, V CE = 5 V
100
110
115
300
312
330
560
%
%
%
CTR CE(SAT)
Saturated Current
FODM8801A
I F = 1.0 mA, V CE = 0.4 V
65
108
150
%
Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
@ T A = 25°C
I F = 1.0 mA, V CE = 0.4 V
I F = 1.6 mA, V CE = 0.4 V
I F = 3.0 mA, V CE = 0.4 V
30
25
20
108
104
92
%
%
%
FODM8801B
I F = 1.0 mA, V CE = 0.4 V
90
168
245
%
@ T A = 25°C
I F = 1.0 mA, V CE = 0.4 V
I F = 1.6 mA, V CE = 0.4 V
I F = 3.0 mA, V CE = 0.4 V
45
40
35
168
155
132
%
%
%
FODM8801C
I F = 1.0 mA, V CE = 0.4 V
140
238
380
%
@ T A = 25°C
I F = 1.0 mA, V CE = 0.4 V
I F = 1.6 mA, V CE = 0.4 V
I F = 3.0 mA, V CE = 0.4 V
75
65
55
238
215
177
%
%
%
V CE(SAT)
Saturation Voltage FODM8801A
FODM8801B
FODM8801C
I F = 1.0 mA, I C = 0.3 mA
I F = 1.6 mA, I C = 0.4 mA
I F = 3.0 mA, I C = 0.6 mA
I F = 1.0 mA, I C = 0.45 mA
I F = 1.6 mA, I C = 0.6 mA
I F = 3.0 mA, I C = 1.0 mA
I F = 1.0 mA, I C = 0.75 mA
I F = 1.6 mA, I C = 1.0 mA
I F = 3.0 mA, I C = 1.6 mA
0.17
0.16
0.15
0.17
0.16
0.16
0.18
0.17
0.17
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
0.40
V
V
V
V
V
V
V
V
V
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FODM8801X Rev. 1.1.2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| FODM8801BV | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Series; Hi Temp Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801C | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801CR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801x | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:FODM8801A, FODM8801B, FODM8801C OptoHiTa?￠ Series, High-Temperature Phototransistor Optocoupler in Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package |
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