参数资料
型号: FODM8801BR2
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 9/14页
文件大小: 0K
描述: OPTO PHOTOTRANSISTOR 4-MINIFLAT
标准包装: 2,500
系列: OptoHit™
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 3750Vrms
电流传输比(最小值): 65% @ 1mA
电流传输比(最大): 360% @ 1mA
输出电压: 75V
电流 - 输出 / 通道: 30mA
电流 - DC 正向(If): 20mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 晶体管
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-SOIC(0.170",4.40mm)
包装: 带卷 (TR)
Test Circuits
+5V
Pulse Generator:
I F
+
1
4
V O
R L = 4.7kΩ
V O Monitoring Node
tr = 5ns
Z O = 50Ω
PW = 50μs
DC = 1%
I F Monitor
2
3
GND
R M
(I F = 1.6mA)
Input Pulse
t R
t F
Output Pulse
90%
10%
V OL
5V
t ON
t OFF
Figure 15. Test Circuit for Propagation Delay, Rise Time, and Fall Time
+5V
I F
+
R L = 4.7kΩ
1
4
V O Monitoring Node
SW
2
3
GND
R M
V CM
Pulse Gen
V CM 90%
10%
V O (I F = 0mA)
V O (I F = 1.6mA)
1kV
0V
V OH
2V
0.8V
V OL
Figure 16. Test Circuit for Instantaneous Common-Mode Rejection Voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FODM8801X Rev. 1.1.2
9
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FODM8801BR2V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM8801BV 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Series; Hi Temp Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM8801C 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
FODM8801CR2 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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