参数资料
型号: FPAL15SH60V10
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 运动控制电子
英文描述: AC MOTOR CONTROLLER, 30 A, XMA30
文件页数: 17/17页
文件大小: 374K
代理商: FPAL15SH60V10
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, March 2001
FPAL15SH60V10
Fig. 7. R-T Curve of the built-in Thermistor.
Fig. 8. Sensing characteristics of the low-side IGBT(Sense-IGBT).
VSEN (1 @RSEN=120 ohm, 2 @RSEN=100 ohm,
3 @RSEN=82 ohm, 4 @RSEN=68 ohm, 5 @RSEN=56 ohm)
60
50
40
30
20
30
40
50
60
70
80
Temperature [
°C]
Resistance
[k
]
90
100
110
120
130
10
0
1
2
3
4
5
IC (10A/div.)
VSEN : 0.2V/div.
time : 10us/div.
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FPAL15SM60 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/ RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FPAL20SL60 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FPAL20SM60 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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