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参数资料
| 型号： | FPAL15SH60V10 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 运动控制电子 |
| 英文描述： | AC MOTOR CONTROLLER, 30 A, XMA30 |
| 文件页数： | 5/17页 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | FPAL15SH60V10 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, March 2001
FPAL15SH60V10
P1 : Normal operation - IGBT ON and conducting currents
P2 : Short-circuit current detection
P3 : IGBT gate interrupt / Fault signal generation
P4 : IGBT is slowly turned off
P5 : IGBT OFF signal
P6 : IGBT ON signal - but IGBT cannot be turned on during the fault-output activation
P7 : IGBT OFF state
P8 : Fault-output reset and normal operation start
Figure 14. Short-Circuit Current Protection (Low-side operation only)
Note
It would be recommended that by-pass capacitors for the gating input signals, IN(XX) should be placed on the IPM pins and on the both sides of CPU and IPM for
the fault output signal, VFO, as close as possible.
Figure 15. Recommended CPU I/O Interface Circuit
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
Input Signal
Output Current
Sensing Voltage
Fault Output Signal
P1
P2
P3
P4
P6
P5
P7
P8
SC Reference
Volt age ( 0.5V)
RC Filt er Delay
SC De tect ion
CPU
COM
5V-Line
1.2nF
0.47nF
1nF
4.7k
4.7k
4.7k
,,
IN(UL) IN(VL) IN
(WL)
,,
IN
(UH)
IN
(VH)
IN
(WH)
V
FO
FPAL15SH60
100
100
100
1nF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FPAL15SL60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FPAL15SM60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A/ RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FPAL20SL60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FPAL20SM60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/20A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FPAL30SL60 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/30A/SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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