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参数资料
| 型号： | FQA13N50CF_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P |
| 标准包装： | 450 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2055pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 218W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
(Continued)
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
0.9
Notes :
1.5
1.0
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 7.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
16
Operation in This Area
10
10
2
1
is Limited by R DS(on)
1 ms
10 ms
100 ms
10 μ s
100 μ s
14
12
10
8
10
DC
6
0
Notes :
1. T C = 25 ° C
2. T J = 150 ° C
3. Single Pulse
4
2
10
10
10
10
10
-1
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
T C , Case Temperature [ ° C]
10
0
D = 0 .5
0 .2
N o te s :
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
1 . Z θ J C ( t) = 0 .5 8 ° C /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 / t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
P DM
t 1
10
-2
s in g lee
u ls e
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA13N50CF Rev C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRF2012-161Y | INDUCTOR COMMON MODE 160 OHM 25% |
| ASG-P-X-B-1.24416GHZ-T | OSC 1.24416 GHZ 2.5V LVPECL SMD |
| ASG-P-X-A-1.24416GHZ-T | OSC 1.24416 GHZ 3.3V LVPECL SMD |
| ABLS-10.000MHZ-K4T | CRYSTAL 10.00000 MHZ 18PF SMD |
| ASG-P-X-B-1.000GHZ-T | OSC 1.00 GHZ 2.5V LVPECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA13N80 | 功能描述:MOSFET TO-3P N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA13N80 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA13N80_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQA13N80_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQA13N80_F109 | 功能描述:MOSFET TO-3P N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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