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参数资料
| 型号： | FQA19N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 380 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA19N60-ND FQA19N60FS |
November 2013
FQA19N60
N-Channel QFET ? MOSFET
600 V, 18.5 A, 380 m?
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
Features
? 18.5 A, 600 V, R DS(on) = 380 m ? (Max.) @ V GS = 10 V ,
I D = 9.3 A
? Low G ate C harge ( T yp . 70 nC)
? Low Crss ( T yp . 35 pF)
? 100% A valanche T ested
D
G
G
D
S
TO-3PN
S
= 25 C unless otherwise noted.
Absolute Maximum Ratings T
C
o
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQA19N60
600
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
18.5
11.7
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
74
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
T L
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum L ead T emperature for S oldering,
1/8 from C ase for 5 S econds
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
1150
18.5
30
4.5
300
2.38
-55 to +150
300
mJ
A
mJ
V ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ CS
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case , Max.
Thermal Resistance, Case-to-Sink , Typ.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient , Max.
FQA19N60
0.42
0.24
40
Unit
°C W
°C W
°C W
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA19N60 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA24N60 | MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P |
| FQA27N25 | MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P |
| FQA28N15_F109 | MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P |
| FQA30N40 | MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P |
| FQA32N20C | MOSFET N-CH 200V 32A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA19N60 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA20N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA22N30 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA22P10 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA24N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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