参数资料
型号: FQA24N60
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 240 毫欧 @ 11.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 25V
功率 - 最大: 310W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
其它名称: FQA24N60-ND
FQA24N60FS
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = L I AS2 --------------------
----
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA24N60 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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