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参数资料
| 型号： | FQA44N30 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 69 毫欧 @ 21.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FQA 44N30
Device
FQA44N30
Package
TO-3PN
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
3 0 units
= 25 C unless otherwise noted.
Electrical Characteristics T
C
o
C+
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1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 1.5 mH, I AS = 4 3.5 A, V DD = 50 V, R G = 25 ? , Starting T J = 25 o C
3. I SD ≤ 4 3.5 A , di/dt ≤ 2 00 A/μs, V DD ≤ BV DSS , Starting T J = 25 o C
4. Essentially independent of operating temperature
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA44N30 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA46N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQA47P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-3P |
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