- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录431 > FQA44N30 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQA44N30 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 69 毫欧 @ 21.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
!
0 (
# "
- . !
# $
$ % & ' &' & ( %
& )&#& *+ ,
/
# $
μ
μ
- .&'/
( ) * $ $ " & +
! "
', ) * $ $
# $
! " # $
% &
"
! !
'' # # $
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA44N30 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA46N15_F109 | MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P |
| FQA55N25 | MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P |
| FQA62N25C | MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P |
| FQA65N20 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P |
| FQA6N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA46N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA46N15_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQA46N15_F109 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA47P06 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA47P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-3P |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。