参数资料
型号: FQA9N90C_F109
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
产品变化通告: Design/Process Change Notification 26/June/2007
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.4 欧姆 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 25V
功率 - 最大: 280W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
12V
200nF
50K Ω
300nF
Samee T y pe
as DUT
V GS
10V
Q g
IG = const.
V GS
DUT
V DS
Q gs
Q gd
Char rge
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
V GS
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
on)
t d(on )
t on
t r
t d(oof f )
t ofofff
t f
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = -- -- L I AS 2 --------------------
2 BV DS S - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
I D (t)
DSS
V GS
t p
DUT
V DD
t p
me
Tim
V DS (t)
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA9N90C _F109 Rev C1
5
www.fairchildsemi.com
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