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参数资料
| 型号： | FQAF13N80 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FQAF13N80
N-Channel QFET ? MOSFET
800 V, 8.0 A, 750 m?
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
Features
? 8.0 A, 800 V, R DS(on) = 750 m ? (Max.) @ V GS = 10 V ,
I D = 4.0 A
? Low G ate C harge ( T yp . 68 nC)
? Low Crss ( T yp . 30 pF)
? 100% A valanche T ested
D
G
G
D
S
TO-3PF
S
= 25 C unless otherwise noted.
Absolute Maximum Ratings T
C
o
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQAF13N80
800
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
8.0
5.1
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
32
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
1100
8.0
12
4.0
120
0.96
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +150
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case , Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient , Max.
FQAF13N80
1.04
40
Unit
°C / W
°C / W
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQAF13N80 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQAF16N50 | MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF |
| FQB11P06TM | MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK |
| FQB12P20TM | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK |
| FQB19N20LTM | MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK |
| FQB22P10TM_F085 | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQAF14N30 | 功能描述:MOSFET N-CH/300V/11.4A/0.29OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF15N70 | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF16N25 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF16N25C | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF16N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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