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参数资料
| 型号： | FQAF13N80 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
!
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
1
150 C
6.0 V
Bottom : 5.5 V
o
10
10
25 C
-55 C
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
o
o
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
1.8
1.5
1.2
0.9
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
V GS = 20V
1
0
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
0.6
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
5000
4500
4000
3500
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
8
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
3000
2500
2000
1500
1000
500
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 12.6 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
2 0
30
4 0
50
6 0
7 0
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQAF13N80 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQAF16N50 | MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF |
| FQB11P06TM | MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK |
| FQB12P20TM | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK |
| FQB19N20LTM | MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK |
| FQB22P10TM_F085 | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQAF14N30 | 功能描述:MOSFET N-CH/300V/11.4A/0.29OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF15N70 | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF16N25 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF16N25C | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF16N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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