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参数资料
| 型号： | FQAF11N90C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQAF11N90C-ND FQAF11N90CFS |
Typical Characteristics
V GS
Top :
15.0 V
10
10
150 C
1
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
10
25 C
-55 C
10
10
0
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
o
o
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
2.5
2.0
1.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
V GS = 20V
1
0
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.5
0
5
10
15
20
25
30
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
4500
4000
3500
3000
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
8
V DS = 180V
V DS = 450V
V DS = 720V
2500
2000
C oss
6
1500
1000
500
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 11A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
3 0
4 0
5 0
6 0
70
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FQAF11N90C Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQAF13N80 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF |
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| FQB11P06TM | MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK |
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| FQB19N20LTM | MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQAF12N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF12P20 | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF13N50 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF13N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQAF14N30 | 功能描述:MOSFET N-CH/300V/11.4A/0.29OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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