参数资料
型号: FQB27P06TM
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
产品目录绘图: D2PAK, TO-263AB Pkg
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫欧 @ 13.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
功率 - 最大: 3.75W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FQB27P06TMDKR
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
-10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
-3mA
I G = const .
Charge
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
t on
t off
R G
V GS
V DD
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
GS
-10V
DUT
V DS
90%
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
V DS
L
1
2
I D
t p
Time
GS
-10V
R G
DUT
V DD
V DD
I AS
I D (t)
V DS (t)
t p
BV DSS
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB27P06 Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
3828 CUTTING BLADE
10970-2 REPLACEMENT BLADES FOR 10952
NTD4815N-35G MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
IKH0403000 SWITCH DIP 1/2 PITCH
A6TR-8104 SWITCH PIANO DIP 8POS DIP LONG
相关代理商/技术参数
参数描述
FQB27P06TM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CH/60V/27A/0.07OHM :ROHS COMPLIANT
FQB28N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQB2N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQB2N30TM 功能描述:MOSFET N-CH/300V/2.1A/3.7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQB2N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET