型号: | FQB33N10LTM |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
产品培训模块: | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装: | 1 |
系列: | QFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 33A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 52 毫欧 @ 16.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 40nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1630pF @ 25V |
功率 - 最大: | 3.75W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | TO-263-2 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | FQB33N10LTMDKR |