- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18602 > FQD10N20CTF (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FQD10N20CTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Continued)
1.2
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 3.9 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
2
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
10
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
8
100 μ s
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
DC
1 ms
10 ms
6
4
2
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 2 .5 ℃ /W M a x .
2 . D u t y F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD10N20C / FQU10N20C Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA20B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| 1643915-1 | TOOL INSERTION/REMOVAL SIZE #12 |
| GLAB01A1A | SWITCH SIDE-ROTRY ROLL SNAP SPDT |
| 1643916-1 | TOOL INSERTION/REMOVAL SIZE #16 |
| ABLS3-24.000MHZ-D4YF-T | CRYSTAL 24.000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD10N20CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD10N20CTM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD10N20CTM-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQD10N20C Series 200 V 0.36 Ohm Surface Mount N-Channel Mosfet - TO-252 |
| FQD10N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD10N20L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。