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参数资料
| 型号： | FQD10N20CTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Mechanical Dimensions
TO-251 3L (IPAK)
Figure 17. TO251 (IPAK) Molded 3 Lead
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Dimension in Millimeters
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD10N20C / FQU10N20C Rev. C2
8
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
| GLAA20B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD10N20CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/200V/10A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD10N20CTM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD10N20CTM-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQD10N20C Series 200 V 0.36 Ohm Surface Mount N-Channel Mosfet - TO-252 |
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