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参数资料
| 型号： | FQD11P06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQD11P06TMDKR |
Typical Characteristics
Top :
V GS
- 15.0 V
- 10.0 V
10
10
1
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
1
150 ℃
10
10
0
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -30V
2. 250μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
0.8
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
0.6
0.4
0.2
V GS = - 10V
V GS = - 20V
1
0
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.0
0
1 0
20
3 0
4 0
50
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1200
1000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = -30V
800
C oss
8
V DS = -48V
600
400
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
C rss
200
2
※ Note : I D = -11.4 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD11P06 / FQU11P06 Rev. C 2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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