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参数资料
| 型号： | FQD12N20LTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQD12N20LTMDKR |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD12N20L TM
Top Mark
FQD12N20L
Package
DPAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 200 V, V GS = 0 V
V DS = 160 V, T C = 125°C
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
200
--
--
--
--
--
--
0.14
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
1.0
--
2.0
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 4.5 A
V GS = 5 V, I D = 4.5 A
V DS = 30 V, I D = 4.5 A
--
--
0.22
0.25
11.6
0.28
0.32
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
830
120
17
1080
155
22
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
t f Turn-Off Fall Time
V DD = 100 V, I D = 11.6 A,
R G = 25 ?
( N ote 4)
--
--
--
--
15
190
60
120
40
390
130
250
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 160 V, I D = 11.6 A,
V GS = 5 V
( Note 4 )
--
--
--
16
2.8
7.6
21
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
9.0
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
36
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 9.0 A
V GS = 0 V, I S = 11.6 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
128
0.56
1.5
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive r ating : p ulse width limited by maximum junction temperature .
2. L = 3.9 mH, I AS = 9.0 A, V DD = 50 V, R G = 25 ?, s tarting T J = 25°C .
3. I SD ≤ 11.6 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, s tarting T J = 25°C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?200 9 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD12N20L Rev. C 2
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 206-7 | SWITCH SPST GOLD 7 SEC |
| 573S3S36 | CONN DUAL FEMALE-FEMALE 3POS 3' |
| 543S3S144 | CABLE R/A FEMALE-FEMAL 3POS 12' |
| 206-4ST | SWITCH SPST GOLD SEALED 4 SEC |
| 196P6S36 | CABLE STR 6POS MALE-FEMALE 3' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD12N20LTM_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD12N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD12N20TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD12N20TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD12P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
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