参数资料
型号: FQD13N06LTM
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 115 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252-3
包装: 标准包装
其它名称: FQD13N06LTMDKR
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V DD
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD13N06L / FQU13N06L Rev. C3
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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XTEHVW-Q2-0000-00000H8E7 LED WHITE HIGH VOLTAGE
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参数描述
FQD13N06TF 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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