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参数资料
| 型号： | FQD17P06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQD17P06TMDKR |
Typical Performance Characteristics
1.2
1.1
(Continued)
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.9
∝ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 レ A
0.5
∝ Notes :
1. V GS = -10 V
2. I D = -6.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
12
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
is Limited by R DS(on)
10
10
1
DC
10 ms
1 ms
100 μ s
8
6
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
∝ Notes :
o
o
3. Single Pulse
4
2
10
10
10
10
-1
0
1
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
2
0
25
50
75 100
T C , Case Temperature [∩ ]
125
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
D = 0 .5
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
∝ N o te s :
1 . Z ヨ J C ( t) = 2 .8 5 ∩ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z ヨ J C ( t )
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD17P06 / FQU17P06 Rev C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VEMD2020X01 | PHOTODIODE PIN 940NM GULLWING |
| NDD03N60ZT4G | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| XMLHVW-Q2-0000-0000HS4E6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
| CLA1B-WKW-XD0F0E13 | CREE PLCC4 SMD LED WHITE |
| XMLHVW-Q2-0000-0000HS4F6 | LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD18N20V2 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes |
| FQD18N20V2_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQD18N20V2_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET |
| FQD18N20V2TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD18N20V2TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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