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参数资料
| 型号： | FQD5N40TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQU 5 N 40 TU
Top Mark
FQU5N40
Package
I PAK
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
70 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted .
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V DS = 320 V, I D = 4.5 A,
V GS = 10 V
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Notes:
1. Repetitive r ating: p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 44 mH, I AS = 3.4 A, V DD ≤ 50 V, R G = 25 Ohm, s tarting T J = 25 o C .
3. I SD ≤ 4.5A, di/dt ≤ 200 A/us, V DD ≤ BVDSS, s tarting T J = 25 o C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQU5N40 Rev. C3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32529C3102K189 | FILM CAP 0.0010UF 10% 250V |
| ASDMB-7.3728MHZ-LC-T | OSC MEMS 7.3728 MHZ SMD |
| ABM2-9.8304MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 9.8304 MHZ 18PF SMD |
| FQD10N20LTM | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| 8Z-24.000MAAJ-T | CRYSTAL 24.000 MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5N40TMAM002 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQD5N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQD5N50C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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