型号: | FQD10N20LTM |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
标准包装: | 2,500 |
系列: | QFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 7.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 360 毫欧 @ 3.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 17nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 830pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2.5W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | D-Pak |
包装: | 带卷 (TR) |