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参数资料
| 型号： | FQD10N20LTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
0.9
※ Notes :
1.5
1.0
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 5 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
8
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
6
10
1
DC
1 ms
10 ms
100 μ s
10 μ s
4
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
0
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
2
0
10
10
10
0
1
2
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N otes :
1 . Z θ J C ( t ) = 2 . 4 8 ℃ /W M a x .
2 . D u t y F a c t o r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD10N20L Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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