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参数资料
| 型号： | FQD10N20LTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
V GS
Top :
10 V
8.0 V
10
10
10
10
1
0
Bottom :
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
※ Notes :
1
0
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
0
2
4
6
8
10
10
1.6
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 5V
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.2
V GS = 10V
0.8
0
0.4
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
25
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
1500
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1200
C rss = C gd
10
8
V DS = 40V
900
600
C iss
C oss
※ Notes :
1. V = 0 V
6
4
V DS = 100V
V DS = 160V
300
C rss
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 10 A
0
0
10
10
10
-1
0
1
0
4
8
12
16
20
24
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD10N20L Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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