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参数资料
| 型号： | FQD5N60CTM_F080 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Mechanical Dimensions
TO-251 3L (IPAK)
Figure 17. TO251 (IPAK) Molded 3 Lead
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Dimension in Millimeters
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5N60C / FQU5N60C Rev. C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD5P10TF | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK |
| FQD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| FQD6N40CTM_NBEA002 | MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK |
| FQD7N10LTF | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| FQD7N30TM | MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQD5P10_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQD5P10TF | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD5P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD5P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
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