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参数资料
| 型号： | FQD5P10TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
April 2013
FQD5P10
P-Channel QFET ? MOSFET
-100 V, -3.6 A, 1.05 ?
Description
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor ? ’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to reduce
on-state resistance, and to provide superior switching
performance and high avalanche energy strength. These
devices are suitable for switched mode power supplies,
Features
? -3.6 A, -100 V, R DS(on) = 1.05 ?? (Max.) ? @ V GS = -10 V,
I D = 1.8 A
? Low Gate Charge (Typ. 6.3 nC)
? Low Crss (Typ. 18 pF)
? 100% avalanche tested
audio amplifier, DC motor control, and variable switching
power applications.
D
D
G
G
S
D-PAK
S
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQD5P10
-100
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
-3.6
-2.28
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
-14.4
A
V GSS
Gate-Source Voltage
? 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T A = 25°C) *
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
55
-3.6
2.5
-6.0
2.5
25
0.2
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +150
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC
R ? JA
R ? JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FQD5P10
5.0
50
110
Unit
°C / W
°C / W
°C / W
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5P10 Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| FQD6N40CTM_NBEA002 | MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK |
| FQD7N10LTF | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| FQD7N30TM | MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK |
| FQD7P06TM_F080 | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD5P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQD5P20_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQD5P20TF | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD5P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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