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参数资料
| 型号： | FQD5P10TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
-10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
-3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
t on
t off
R G
V GS
V DD
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-10V
DUT
V DS
90%
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
V DS
L
1
2
I D
t p
Time
-10V
R G
DUT
V DD
V DD
I AS
I D (t)
V DS (t)
t p
BV DSS
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5P10 Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| FQD6N40CTM_NBEA002 | MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK |
| FQD7N10LTF | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| FQD7N30TM | MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK |
| FQD7P06TM_F080 | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD5P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQD5P20_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQD5P20TF | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD5P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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