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参数资料
型号： FQD7N20L
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： JFETs
英文描述： 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源电压为200V、漏电流为5.5A的逻辑N沟道增强型MOS场效应管)
中文描述： 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封装： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件页数： 7/9页
文件大小： 630K
代理商： FQD7N20L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
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5.34
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MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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FQD7N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Logic Level QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD7N20TF 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD7N20TM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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