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参数资料
| 型号： | FQD7P06TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 451 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
Top :
V GS
- 15.0 V
10
10
10
1
0
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
1
150 ℃
10
0
25 ℃
※ Notes :
-55 ℃
※ Notes :
10
-1
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1. V DS = -30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
1.4
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.2
1.0
0.8
V GS = - 10V
1
10
0.6
0.4
V GS = - 20V
0
0.2
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
4
8
12
16
20
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
600
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
12
500
400
300
200
C oss
C iss
C rss = C gd
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
10
8
6
4
V DS = -30V
V DS = -48V
C rss
100
2
※ Note : I D = -7.0 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD7P06 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32529C332J189 | FILM CAP 0.0033UF 5% 63V |
| CPPC7LZA7BP-3.579540TS | OSC 3.3V 3.579540MHZ CMOS 50PPM |
| FQD2N60CTF | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
| CPPC7LZA7BP-25.0000TS | OSC 3.3V 25MHZ CMOS TRI ST 50PPM |
| AML21JBE3BD | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD7P06TM | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD7P06TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 60V 5.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD7P06TM_NB82050 | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD7P06TMNB82050 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| FQD7P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
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