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参数资料
型号： FQD7P06TM_F080
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
产品变化通告： Product Discontinuation 14/Mar/2011
标准包装： 2,500
系列： QFET™
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 5.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 451 毫欧 @ 2.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 8.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 295pF @ 25V
功率 - 最大： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： D-Pak
包装： 带卷 (TR)
Elerical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
?
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
?
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 ? A
I D = -250 ? A, Referenced to 25°C
V DS = -60 V, V GS = 0 V
V DS = -48 V, T C = 125°C
V GS = -25 V, V DS = 0 V
V GS = 25 V, V DS = 0 V
-60
--
--
--
--
--
--
-0.07
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V/°C
? A
? A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
?
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = -250 ? A
V GS = -10 V, I D = -2.7 A
V DS = -30 V, I D = -2.7 A
-2.0
--
--
--
0.36
3.8
-4.0
0.451
--
V
?
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
?
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
225
110
25
295
145
32
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -30 V, I D = -3.5 A,
R G = 25 ?
V DS = -48 V, I D = -7.0 A,
V GS = -10 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
7
50
7.5
25
6.3
1.6
3.1
25
110
25
60
8.2
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
-5.4
-21.6
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = -5.4 A
V GS = 0 V, I S = -7.0 A,
dI F / dt = 100 A/ ? s
--
--
--
--
77
0.23
-4.0
--
--
V
ns
? C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 3.6mH, I AS = -5.4A, V DD = -25V, R G = 25 ??? Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ -7.0A, di/dt ≤ 300A/ ? s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Essentially independent of operating temperature
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD7P06 Rev. C0
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FQH44N10_F133 MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
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参数描述
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FQD7P20TF 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD7P20TM 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD7P20TM_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 200V 5.7A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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