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参数资料
| 型号： | FQD8P10TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 530 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD8P10TM
FQU8P10TU
Top Mark
FQD8P10
FQU8P10
Package
D-PAK
I-PAK
Packing Method
Tape and Reel
Tube
Reel Size
330 mm
N/A
Tape Width
16 mm
N/A
Quantity
2500 units
7 0 units
= 25 C unless otherwise noted.
Electrical Characteristics T
C
o
Symbol Parameter
?
Off Characteristics
BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = -250 ? A
Min
-100
Typ
--
Max
--
Unit
V
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
I D = -250 ? A, Referenced to 25°C
V DS = -100 V, V GS = 0 V
V DS = -80 V, T C = 125°C
V GS = -30 V, V DS = 0 V
--
--
--
--
-0.1
--
--
--
--
-1
-10
-100
V/°C
? A
? A
nA
I GSSR Gate-Body Leakage Current, Reverse
?
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = -250 ? A
--
-2.0
--
--
100
-4.0
nA
V
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = -10 V, I D = -3.3 A
--
0.41
0.53
?
g FS Forward Transconductance
?
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
?
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
t f Turn-Off Fall Time
V DS = -40 V, I D = -3.3 A
V DS = -25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DD = -50 V, I D = -8.0 A,
R G = 25 ?
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
--
4.1
360
120
30
11
110
20
35
--
470
155
40
30
230
50
80
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = -80 V, I D = -8.0 A,
V GS = -10 V
(Note 4)
--
--
--
12
3.0
6.4
15
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
-6.6
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
-26.4
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = -6.6 A
V GS = 0 V, I S = -8.0 A,
dI F / dt = 100 A/ ? s
--
--
--
--
98
0.35
-4.0
--
--
V
ns
? C
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 5.2 m H , I AS = -6.6 A, V DD = - 25 V, R G = 25 ? , s tarting T J = 25 o C .
3. I SD ≤ -8.0 A, di/dt ≤ 3 00 A/μs, V DD ≤ BV DSS , s tarting T J = 25 o C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD8P10 / FQU8P10 Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FQD8P10TF_NB82052 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQD8P10TM_SB82052 | 功能描述:MOSFET 100V 6.7A 0.53Ohm P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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