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参数资料
| 型号： | FQD8P10TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 530 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
+
V DS
DUT
I SD
Driver
_
L
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
V GS
R G
pl
Comp i m ent of DUT
(N-C hannel)
? d v / dt c o ntr ro l l e d b y R G
ri
? I SD c ont tr oll led by pul ls e per od
Gate P uls e W i d t h
Gate Pul s e Per i od
Body D i ode R e v e r s e C u r r ent
I RM
di/ /dt
wa
I FM , Body D i ode F orw r d C u r r ent
V SD
Body D i o d e
tag
Forw ward V olt age Drop
V DD
10V
V DD
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD8P10 / FQU8P10 Rev. C2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPPLC7L-B6-26.0000TS | OSCILLATOR 26.000MHZ SMD |
| UB225SKG036G-1JB | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| GLAB21A1B | SWITCH ROTARY SIDE |
| ASVMPC-12.352MHZ-Z-T | OSC 12.352 MHZ CMOS MEMS SMD |
| B32529C1823J289 | FILM CAP 0.0820UF 5% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD8P10TF_NB82052 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD8P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD8P10TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 100V 6.6A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD8P10TM_F085 | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD8P10TM_SB82052 | 功能描述:MOSFET 100V 6.7A 0.53Ohm P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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