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参数资料
| 型号： | FQI27P06TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
+
V DS
DUT
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
R G
V GS
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB27P06 Rev. C 1
Compliment of DUT
(N-Channel)
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
Body Diode Reverse Current
I RM
di/dt
I FM , Body Diode Forward Current
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
6
V DD
10V
V DD
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| FQI47P06TU | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| FQI50N06LTU | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| FQI5N50CTU | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK |
| FQI5N60CTU | MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI28N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQI28N15TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQI2N30TU | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI2N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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